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     江蘇華興激光科技有限公司創立于2016年2月,注冊資本3700余萬元,是一家專業從事化合物半導體外延片研發、制備與加工服務的企業,主要基于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)技術制備以磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)爲基底的不同結構和功能的半導體外延片,廣泛應用于光通信、氣體檢測、激光醫療、激光加工、激光雷達等工業領域及智能手機、AR/VR等消費電子領域。

     公司位于江蘇省徐州市邳州市經濟開發區半導體材料與設備産業園,占地30畝,建築面積2.3萬平方米,其中百級、千級、萬級潔淨車間2000余平方米。規劃總投資6.5億元,一期規劃總投資3億元,目前實際投資已超過2億元。華興激光擁有一條完整的第二代化合物半導體砷化镓、磷化铟外延片生産線,包括材料生外延生長、微納結構加工和分析檢測。公司的産品技術依托中國科學院半導體研究所這一國家級科研平台十余年的研發積累,技術團隊成員包括中國科學院院士、青年千人計劃專家、科技部創新創業人才推進計劃入選者等一流專業技術人才,其中博士10人、碩士5人。公司與中國科學院半導體研究所、清華大學、丹麥技術大學等國內外著名研究機構開展長期技術合作,掌握化合物半導體芯片材料外延制備核心技術,率先突破國外技術壁壘成爲國內首家具備高速通信和激光傳感用半導體外延片生産技術的企業,已累計獲得國家專利20余項。公司研發項目《高端半導體激光芯片材料》入選2018年江蘇省重點研發計劃。

公司自創立以來,已獲得中國創新創業大賽新材料行業全國二等獎、 “創青春”中國青年創新創業大賽全國銀獎,第五屆江蘇科技創業大賽二等獎、第五屆江蘇省創新創業大賽二等獎、江蘇省“雙創博士” 、“雙創人才”重點資助、科技部創新創業人才推進計劃等多項國家及省部級榮譽。

公司秉承“誠信、務實、創新、精准、高效”的企業價值理念,致力成爲世界一流化合物半導體材料供應商。


電話:0516-86999768
郵箱:vip@hxopto.com
地址:江蘇省邳州市經濟開發區遼河西路北側華山北路西側半導體材料與設備産業園A2


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